CMOS溫度保護(hù)電路（熱滯回功能?）設(shè)計(jì)分析-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2021-09-06
電路結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)：
整個(gè)電路結(jié)構(gòu)可分為啟動(dòng)電路、PTAT電流產(chǎn)生電路、溫度比較及其輸出電路。下面詳細(xì)介紹各部分電路的設(shè)計(jì)以及實(shí)現(xiàn)。文中所設(shè)計(jì)的CMOS溫度保護(hù)電路整體電路圖如圖1所示。
在與電源無關(guān)的偏置電路中有一個(gè)很重要的問題，那就是“簡并”偏置點(diǎn)的存在，每條支路的電流可能為零，即電路不能進(jìn)入正常工作狀態(tài)，故必須添加啟動(dòng)電路，以便電源上電時(shí)擺脫簡并偏置點(diǎn)。
上電瞬間，電容C上無電荷，M7柵極呈現(xiàn)低電壓，M7～M9導(dǎo)通，PD（低功耗引腳）為低電平，M3將M6柵壓拉高，由于設(shè)計(jì)中M2寬長比較小，而此時(shí)又不導(dǎo)通，Q1～Q4支路導(dǎo)通，電路脫離“簡并點(diǎn)”；
隨著M6柵電位的繼續(xù)升高，M2導(dǎo)通，M3源電位急劇降低，某時(shí)刻M3 被關(guān)斷，啟動(dòng)電路與偏置電路實(shí)現(xiàn)隔離，電容C兩端電壓恒定，為M7提供合適的柵壓，偏置電路正常工作。
然而，當(dāng)PD為高電平時(shí)，M4導(dǎo)通，將M6，M10 的柵電位拉低，使得整個(gè)電路處于低功耗狀態(tài)。
由于晶體管的BE結(jié)正向?qū)妷壕哂胸?fù)溫度系數(shù)；PTAT電流進(jìn)行I-V變換產(chǎn)生電壓具有正溫度特性；
利用這兩路電壓不同的溫度特性來實(shí)現(xiàn)溫度檢測(cè)，產(chǎn)生過溫保護(hù)信號(hào)的輸出，M26～M30，M33，M34構(gòu)成一個(gè)兩級(jí)開環(huán)比較器，反相器的接入是為了滿足高轉(zhuǎn)換速率的要求。
M31，M32是低功耗管，M23～M25的作用是構(gòu)成一個(gè)正反饋回路，以防止在臨界狀態(tài)發(fā)生不穩(wěn)定性，同時(shí)又為電路產(chǎn)生了滯回區(qū)間。
比較器的兩個(gè)輸入端電壓分別記為VQ和VR；M17～M22用來鏡像基準(zhǔn)源電路產(chǎn)生的PTAT電流，這里它們與M14有著相同的寬長比。
因此流經(jīng)這三條支路的電流都為IPTAT。在常溫下，M25截止，R2完成對(duì)PTAT電流的I-V變換，即VR=2IPTATR2，此時(shí)VRVQ，比較器輸出為低電平。隨著溫度的升高，IPTAT不斷增大，VR也隨之增大。
與此同時(shí)，晶體管BE結(jié)正向?qū)妷篤Q以2．2 mV／℃的速度下降。當(dāng)VR=VQ的瞬間，比較器發(fā)生翻轉(zhuǎn)，使得輸出為高電平，從而啟動(dòng)溫度保護(hù)。在溫度保護(hù)啟動(dòng)的同時(shí)，M25開始導(dǎo)通。
此時(shí)，流過R2 上的電流變?yōu)閮刹糠郑徊糠质窃瓉砭痛嬖诘腗19～M22提供的偏置電流，另一部分就是新引入的由M23～M25提供的電流。
這樣做的好處是在溫度下降時(shí)，只有在溫度低于開始的關(guān)斷溫度一定值時(shí)才能重新工作，相當(dāng)于在關(guān)斷點(diǎn)附近形成熱遲滯，有效地防止了熱振蕩現(xiàn)象的發(fā)生。
為保證芯片在工作時(shí)不因溫度過高而被損壞，溫度保護(hù)電路是必須的。
這里所設(shè)計(jì)的溫度保護(hù)電路對(duì)溫度靈敏性高，功耗低，其熱滯回功能能有效防止熱振蕩現(xiàn)象的發(fā)生，相比一般單獨(dú)使用晶體管BE結(jié)的溫度保護(hù)電路具有更高的靈敏度和精度，可廣泛用于各種功率芯片內(nèi)部。
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