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雙管自激振蕩電路分析圖文詳解-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2021-08-11 

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雙管自激振蕩電路分析圖文詳解-KIA MOS管


雙管自激振蕩電路分析

自激振蕩常用于正弦波發生器、交流控制信號等。自激振蕩的應用于許多電路,如正弦波振蕩器廣泛用于各種電子設備中,在模擬電子技術中屬于必不可少的一種元件。


它是一種不需要輸入信號控制就能自動地將直流能量轉換為特定頻率和振幅的正弦交變能量的電路。


如圖1是雙管自激振蕩器電路。

電源接通,R1給Q1提供基極電流、Q1導通。接著,Q1集電極輸出電流驅動Q2、Q2導通,于是Q2集電極接地。


此時,Q1基極增加了一條經C1 、RP到地低阻通路,Q1基極輸出電流增大,導通愈甚,進而Q2快速飽和導通——兩管互為對方提供基極驅動電流,控制信號為正反饋。


根據三極管的特性可知,Q1基極只比電源低一個PN結壓降,但其集電極比地高一個PN結壓降,因此在C1充電過程中,Q1工作于放大狀態;與此同時,Q2由淺導通很快渡越到飽和導通。


隨著C1 、RP支路充電過程持續,C1壓降增大,充電電流減小,Q1輸出電流下降,進而不能驅動、維持Q2的深度飽和,Q2的集電極電壓上升,C1 、RP支路進入放電過程。


由于正反饋信號的控制作用,Q1很快截止,Q2也很快截止。隨著C1 、RP放電過程的持續,C1壓降減小,放電電流減小,Q1基極電壓逐漸下降,直到Q1再次導通,進入下一個循環…


雙管自激振蕩電路


如圖2所示,上側圖是Q1集電極波形,其最高電壓為一個PN結壓降;下側圖是Q1基極波形,其最高電壓比電源低一個PN結壓降。


如圖3所示,上側圖是Q2基極波形,即Q1集電極波形(最高電壓為一個PN結壓降),下側圖是Q2集電極波形:當Q2截止時,其電壓為電源,當Q2導通時,其電壓約為零。


雙管自激振蕩電路


雙管自激振蕩電路


在圖2、3中,揚聲器實為10Ω電阻,若換成6Ω揚聲器,波形如圖4、5所示。因揚聲器是感性元件,在Q2截止時兩管的集電極波形都有過沖(尖峰電壓)。


雙管自激振蕩電路


雙管自激振蕩電路


需要指出的是:調節RP,占空比和頻率都發生改變(305.6Hz),如圖6所示。


雙管自激振蕩電路


與圖1功能相同,但電路結構不同的電路,如圖7所示。這種元件相同、功能相同但結構不同的電路叫對偶電路。


雙管自激振蕩電路



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