逆變器工作原理詳解|好文必看-KIA MOS管

逆變器的工作原理

輸入接口部分：

輸入部分有3個信號，12V直流輸入VIN、工作使能電壓ENB及Panel電流控制信號DIM。VIN由Adapter提供，ENB電壓由主板上的MCU提供，其值為0或3V，當(dāng)ENB=0時，Inverter不工作，而ENB=3V時，Inverter處于正常工作狀態(tài)；

而DIM電壓由主板提供，其變化范圍在0～5V之間，將不同的DIM值反饋給PWM控制器反饋端，Inverter向負(fù)載提供的電流也將不同，DIM值越小，Inverter輸出的電流就越大。

電壓啟動回路：

ENB為高電平時，輸出高壓去點亮Panel的背光燈燈管。

PWM控制器：

有以下幾個功能組成：內(nèi)部參考電壓、誤差放大器、振蕩器和PWM、過壓保護(hù)、欠壓保護(hù)、短路保護(hù)、輸出晶體管。

直流變換：

由MOS開關(guān)管和儲能電感組成電壓變換電路，輸入的脈沖經(jīng)過推挽放大器放大后驅(qū)動MOS管做開關(guān)動作，使得直流電壓對電感進(jìn)行充放電，這樣電感的另一端就能得到交流電壓。

LC振蕩及輸出回路：

保證燈管啟動需要的1600V電壓，并在燈管啟動以后將電壓降至800V。

輸出電壓反饋：

當(dāng)負(fù)載工作時，反饋采樣電壓，起到穩(wěn)定Inventer電壓輸出的作用。

其實可以想象一下了。都有哪些電子元件需要正負(fù)極，電阻，電感一般不需要。二極管一般壞的可能就是被擊穿只要電壓正常一般是沒有問題的，三極管的話是不會導(dǎo)通的。

穩(wěn)壓管如果正負(fù)接反的話就會損壞了，但一般有的電路加了保護(hù)就是利用二極管的單向?qū)▉肀Ｗo(hù)。在就是電容了，電容里有正負(fù)之分的就是電解電容了，如果正負(fù)接反嚴(yán)重的話其外殼發(fā)生爆裂。

主要元件二極管。開關(guān)管振蕩變壓器。取樣。調(diào)寬管。還有振蕩回路電阻電容等參開關(guān)電路原理。

逆變器的主功率元件的選擇至關(guān)重要，目前使用較多的功率元件有達(dá)林頓功率晶體管（BJT），功率場效應(yīng)管（MOSFET），絕緣柵晶體管（IGBT）和可關(guān) 斷晶閘管（GTO）等，

在小容量低壓系統(tǒng)中使用較多的器件為MOSFET，因為MOSFET具有較低的通態(tài)壓降和較高的開關(guān)頻率，在高壓大容量系統(tǒng)中一般 均采用IGBT模塊，

這是因為MOSFET隨著電壓的升高其通態(tài)電阻也隨之增大，而IGBT在中容量系統(tǒng)中占有較大的優(yōu)勢，而在特大容量（100KVA以 上）系統(tǒng)中，一般均采用GTO作為功率元件 。

大件：場效應(yīng)管或IGBT、變壓器、電容、二極管、比較器以及3525之類的主控。交直交逆變還有整流濾波。

功率大小和精度，關(guān)系著電路的復(fù)雜程度。

IGBT（絕緣柵雙極晶體管）作為新型電力半導(dǎo)體場控自關(guān)斷器件，集功率MOSFET的高速性能與雙極性器件的低電阻于一體，具有輸入阻抗高，電壓控制功耗低，控制電路簡單，耐高壓，承受電流大等特性，在各種電力變換中獲得極廣泛的應(yīng)用。

與此同時，各大半導(dǎo)體生產(chǎn)廠商不斷開發(fā)IGBT的高耐壓、大電流、高速、低飽和壓降、高可靠性、低成本技術(shù)，主要采用1um以下制作工藝，研制開發(fā)取得一些新進(jìn)展。

1、全控型逆變器工作原理

為通常使用的單相輸出的全橋逆變主電路，交流元件采用IGBT管Q11、Q12、Q13、Q14。并由PWM脈寬調(diào)制控制IGBT管的導(dǎo)通或截止。

當(dāng)逆變器電路接上直流電源后，先由Q11、Q14導(dǎo)通，Q1、Q13截止，則電流由直流電源正極輸出，經(jīng)Q11、L或感、變壓器初級線圈圖1-2，到Q14回到電源負(fù)極。

當(dāng)Q11、Q14截止后，Q12、Q13導(dǎo)通，電流從電源正極經(jīng)Q13、變壓器初級線圈2-1電感到Q12回到電源負(fù)極。

此時，在變壓器初級線圈上，已形成正負(fù)交變方波，利用高頻PWM控制，兩對IGBT管交替重復(fù)，在變壓器上產(chǎn)生交流電壓。由于LC交流濾波器作用，使輸出端形成正弦波交流電壓。

當(dāng)Q11、Q14關(guān)斷時，為了釋放儲存能量，在IGBT處并聯(lián)二級管D11、D12，使能量返回到直流電源中去。

2、半控型逆變器工作原理

半控型逆變器采用晶閘管元件。Th1、Th2為交替工作的晶閘管，設(shè)Th1先觸發(fā)導(dǎo)通，則電流通過變壓器流經(jīng)Th1，同時由于變壓器的感應(yīng)作用，換向電容器C被充電到大的2倍的電源電壓。

按著Th2被觸發(fā)導(dǎo)通，因Th2的陽極加反向偏壓，Th1截止，返回阻斷狀態(tài)。這樣，Th1與Th2換流，然后電容器C又反極性充電。如此交替觸發(fā)晶閘管，電流交替流向變壓器的初級，在變壓器的次級得到交流電。

在電路中，電感L可以限制換向電容C的放電電流，延長放電時間，保證電路關(guān)斷時間大于晶閘管的關(guān)斷時間，而不需容量很大的電容器。

D1和D2是2只反饋二極管，可將電感L中的能量釋放，將換向剩余的能量送回電源，完成能量的反饋作用。

聯(lián)系方式：鄒先生

聯(lián)系電話：0755-83888366-8022

手機(jī)：18123972950

QQ：2880195519

聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)車公廟天安數(shù)碼城天吉大廈CD座5C1

請搜微信公眾號:“KIA半導(dǎo)體”或掃一掃下圖“關(guān)注”官方微信公眾號

請“關(guān)注”官方微信公眾號:提供  MOS管  技術(shù)幫助