NMOS高端驅動自舉電路圖文分享-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2021-06-30
VCC經過二極管D2、電容C2、電阻R1到地，所以加載在電容C2兩端的電壓約為14V。
圖1電容自舉驅動NMOS電路
（1） 當V1輸入高電平時，Q1、Q4導通，B通道輸出高電平，Q2截止，C通道輸出高電平，Q3導通，D通道輸出高電平48V，由于C2兩端電壓14V，所以Q3的導通使電容抬升了VDD的電壓，
即電容C2的正極電壓位62V左右，經過三極管Q4、二極管D1到達Q3的柵極，電容C2起到了自舉抬升電壓的作用，使Q3持續導通。
（2） 當V1輸入低電平時，Q1、Q4截止，B通道輸出低電平，Q2導通，Q2的導通為Q3的柵極提供放電電路（柵極電壓通過Q2、電阻R1放電），使得電容C2的負極電壓接近0V，即D通道輸出低電平。
圖2 電容自舉驅動NMOS電路仿真
圖3 MOSFET驅動電路
（1） 當V1=V2=5V時，Q1、Q4導通，Q2截止，VCC經過D2、Q4、D1、R4到達Q3的柵極，Q3導通；Q6、Q7截止，Q8導通，Q8的導通為Q5的柵極提供放電回路，Q5截止；
（2） 當V1=V2=0V時，Q1、Q4截止，Q2導通，Q2的導通為Q3的柵極提供放電回路放電電流經過Q2、Q5到地；Q6、Q7導通，Q8截止，VCC經過Q7、電阻R1到達Q5的柵極，Q5導通。
實際應用中，保持V1、V2同相可以避免上下管同時導通。
圖4推挽驅動NMOS電路
（1） 當V1=3.3V時，Q3導通，P1為低電平，使得Q2截止、Q4導通，Q4的導通為Q1的柵極提供放電回路，P2為低電平，Q1截止。
（2） 當V1=0V時，Q3截止，電阻R2將P1鉗位在高電平，使得Q2導通、Q4截止，Q2的導通為Q1的柵極提供充電電路，P2為高電平，Q1導通。
圖5 推挽驅動NMOS電路仿真
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