可控硅開關(guān)原理分析及應(yīng)用、分類-KIA MOS管

可控硅開關(guān)原理

可控硅開關(guān)又叫晶閘管，是晶體閘流管（Thyristor）的簡(jiǎn)稱，故稱可控硅，它是一種大功率開關(guān)型半導(dǎo)體器件，在電路中用文字符號(hào)為“V”、“VT”表示（舊標(biāo)準(zhǔn)中用字母“SCR”表示）。

可控硅開關(guān)也即是俗稱無觸點(diǎn)開關(guān)丶用雙向可控硅丶或者單向可控硅為開關(guān)器件，具有開關(guān)速度快丶帶負(fù)載能力強(qiáng)，功耗小，無噪聲等特點(diǎn)。廣泛應(yīng)用于各種自動(dòng)化控制電路中。

可控硅開關(guān)的工作原理如下：

（1）導(dǎo)通

柵極懸空時(shí)，BG1和BG2截止，沒有電流流過負(fù)載電阻RL。

柵極輸入一個(gè)正脈沖電壓（注入觸發(fā)電流Ig）時(shí)，BG2導(dǎo)通，VCE（BG2）下降，VBE（BG1）升高。

正反饋過程：

Ig↑→Ic2↑→Ia↑→Ic1↑→Ig↑ 使BG1和BG2進(jìn)入飽和導(dǎo)通狀態(tài)。

電路很快從截止?fàn)顟B(tài)進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)。

由于正反饋的作用柵極Ig沒有觸發(fā)將保持導(dǎo)通狀態(tài)不變。

（2）截止

陽(yáng)極—陰極加上反向電壓

BG1和BG2截止。

加大負(fù)載電阻RL使電流減少BG1和BG2的基電流也將減少。

當(dāng)減少到某一個(gè)值時(shí)由于電路的正反饋?zhàn)饔茫娐贩D(zhuǎn)為截止?fàn)顟B(tài)。

這個(gè)電流為維持電流IH

可控硅開關(guān)的分類

按關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式分類

可控硅按其關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式可分為普通可控硅、雙向可控硅、逆導(dǎo)可控硅、門極關(guān)斷可控硅（GTO）、BTG可控硅、溫控可控硅和光控可控硅等多種。

按引腳和極性分類

可控硅按其引腳和極性可分為二極可控硅、三極可控硅和四極可控硅。

按封裝形式分類

可控硅按其封裝形式可分為金屬封裝可控硅、塑封可控硅和陶瓷封裝可控硅三種類型。其中，金屬封裝可控硅又分為螺栓形、平板形、圓殼形等多種；塑封可控硅又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種。

按電流容量分類

可控硅按電流容量可分為大功率可控硅、中功率可控硅和小功率可控硅三種。通常，大功率可控硅多采用金屬殼封裝，而中、小功率可控硅則多采用塑封或陶瓷封裝。

按關(guān)斷速度分類

可控硅按其關(guān)斷速度可分為普通可控硅和高頻（快速）可控硅。

可控硅開關(guān)應(yīng)用

可控硅是可控硅整流元件的簡(jiǎn)稱，是一種具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件。

實(shí)際上，可控硅的功用不僅是整流，它還可以用作無觸點(diǎn)開關(guān)以快速接通或切斷電路，實(shí)現(xiàn)將直流電變成交流電的逆變，將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電，等等。

可控硅和其它半導(dǎo)體器件一樣，其有體積小、效率高、穩(wěn)定性好、工作可靠等優(yōu)點(diǎn)。它的出現(xiàn)，使半導(dǎo)體技術(shù)從弱電領(lǐng)域進(jìn)入了強(qiáng)電領(lǐng)域，成為工業(yè)、農(nóng)業(yè)、交通運(yùn)輸、軍事科研以至商業(yè)、民用電器等方面爭(zhēng)相采用的元件。

可控硅器件是一種非常重要的功率器件，可用來作高電壓和高電流的控制。可控硅器件主要用在開關(guān)方面，使器件從關(guān)閉或是阻斷的狀態(tài)轉(zhuǎn)換為開啟或是導(dǎo)通的狀態(tài)，反之亦然。

聯(lián)系方式：鄒先生

聯(lián)系電話：0755-83888366-8022

手機(jī)：18123972950

QQ：2880195519

聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)車公廟天安數(shù)碼城天吉大廈CD座5C1

請(qǐng)搜微信公眾號(hào):“KIA半導(dǎo)體”或掃一掃下圖“關(guān)注”官方微信公眾號(hào)

請(qǐng)“關(guān)注”官方微信公眾號(hào):提供  MOS管  技術(shù)幫助