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MOS管靜態功耗圖文解析(計算教程)-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2021-06-01 

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MOS管靜態功耗圖文解析(計算教程)-KIA MOS管


MOS管靜態功耗步驟

如下圖所示的NMOS反相器,現在要計算其靜態功耗。


MOS管 靜態功耗


當輸入信號為高電平時,NMOS閉合,但是又不是一個理想的開關,所以有開關電阻RON。


MOS管 靜態功耗


所以,當輸入為高電平時,靜態功耗為下圖所示:


MOS管 靜態功耗


當輸入為低電平時,此時NMOS是理想的斷開,此時電路如下圖所示。


MOS管 靜態功耗


由于電路中沒有電流,所以功耗為0。


MOS管 靜態功耗


所以對于本有NMOS構成的反相器而言,靜態功耗為:


MOS管 靜態功耗


當忽略掉該直流導通電阻RON時,則靜態功耗為:


MOS管 靜態功耗



如何理解mosfet靜態功耗低,三極管功耗為什么又比mos管功耗高,速度比mos管慢?


功耗是因為三極管做開關時,要一個Ib維持。而mos管是壓控device,基本上不消耗電流。


速度是因為,mos管壓控時,得等大gate上電荷積累到vth后,電路才導通;而三極管是電流控制,導通時間比mos管的小的多。




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