場效應管的特性以及有哪些特點？-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2021-05-17
下面以N溝道結型場效應管為例說明場效應管的特性。
圖1.1為場效應管的漏極特性曲線。輸出特性曲線分為三個區：可變電阻區、恒流區和擊穿區 。
（ 1） 可變電阻區： 圖中VDS很小，曲線靠近左邊。它表示管子預夾斷前電壓.電流關系是：當VDS較小時，由于VDS的變化對溝道大小影響不大，溝道電阻基本為一常數，ID基本隨VGS作線性變化。
當VGS恒定時，溝道導通電阻近似為一常數，從此意義上說，該區域為恒定電阻區，當VGS變化時，溝道導通電阻的值將隨VGS變化而變化，因此該區域又可稱為可變電阻區。利用這一特點，可用場效應管作為可變電阻器 。
（2）恒流區:圖中VDS較大,曲線近似水平的部分是恒流區,它表示管子預夾斷后電壓.電流的關系,即圖1.1兩條虛線之間即為恒流區(或稱為飽和區)該區的特點是ID的大小受VGS可控, 當VDS改變時ID幾乎不變，場效應管作為放大器使用時，一般工作在此區域內。
（3）擊穿區：當VDS增加到某一臨界值時，ID開始迅速增大, 曲線上翹, 場效應管不能正常工作,甚至燒毀，場效應管工作時要避免進入此區間。
（4）場效應管特性曲線的測試
場效應管的特性曲線可以用晶體管圖示儀測試，也可以用逐點測量法測試。圖1.2是用逐點測量法測試場效應管特性曲線的原理圖。場效應管的轉移特性曲線是當漏源間電壓VDS保持不變，柵源間電壓VGS與漏極電流ID的關系曲線，如圖1.3所示：
在上圖中，先調節VDD使VDS固定在某個數值上，當柵源電壓VGS取不同的電壓值時（調節RW），ID也將隨之改變，利用測得的數據，便可在VGS～ID直角坐標系上畫出如圖3.2.3的轉移特性曲線。
當VDS取不同的數值，便可得到另一條特性曲線。ID=0時的VGS值為場效應管的夾斷電壓VP,VGS=0時的ID值為場效應管的飽和漏極電流IDSS。
漏極特性曲線是當柵源間電壓VGS保持不變時，漏極電流ID與漏源間電壓VDS的關系曲線，當VDS取不同的數值時便可測出與之對應的ID值，對于不同的VGS可以測得多條漏極特性曲線。
晶體管是電流控制器件，作放大器件用時，發射結必須正偏。場效應管是電壓控制器件，N溝道結型場效應管工作時G、S間必須加反向偏置電壓。
1.場效應管是電壓控制器件，柵極基本不取電流,而晶體管是電流控制器件,基極必須取一定的電流,應此對于信號源額定電流極小的情況下，常選用場效應管。
2.場效應管是多子導電,晶體管是兩種載流子參與導電。但少子受環境影響明顯。
3.場效應管FET和晶體管BJT一樣具有放大作用，而且這兩種放大元件間存在著電極對應關系G-b，S-e，D-c。因此根據BJT電路，即可得到與之對應的FET放大電路。但不能簡單地加以替換，否則有時電路不能正常工作。場效應除作放大器件及可控開關外還可作壓控可變線性電阻使用。
4.場效應管S極和D極是對稱的，可以互換使用，耗盡型MOS管柵源電壓可正可負使用比晶體三極管靈活。
5.場效應管組成放大電路時與晶體管一樣，必須選擇合適的靜態工作點，柵極必須有合適的偏壓，但不出現偏流，對不同類型場效應管對偏壓的極性要求不同，特列如下：
注：JFET表示結型場效應管，DMOS表示耗盡型場效應管；EMOS表示增強型場效應管。
聯系方式：鄒先生
聯系電話：0755-83888366-8022
手機：18123972950
QQ：2880195519
聯系地址：深圳市福田區車公廟天安數碼城天吉大廈CD座5C1
請搜微信公眾號:“KIA半導體”或掃一掃下圖“關注”官方微信公眾號
請“關注”官方微信公眾號:提供 MOS管 技術幫助
<ul id="ou8ay"></ul>