大功率場效應管型號及場效應管參數解析-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2021-05-13
| Prato Numbe | ID（A) | VDSS（V) | RDS（ON）Ω |
| KIA1N60H |
1 |
600 | 11.5 |
| KIA4N60H | 4 | 600 | 2.7 |
| KIA7N60H | 7 | 600 | 1.2 |
| KIA7N65H | 7 | 650 | 1.4 |
| KIA840S | 8 | 500 | 0.9 |
| KIA13N50H | 13 | 500 | 0.048 |
| KIA6N70S | 5.8 | 700 | 1.6 |
| KND4360A | 4 | 600 | 2.3 |
| KND4365A | 4 | 650 | 2.5 |
| KIA5N50H | 5 | 500 | 1.5 |
| KND4560A | 6 | 600 | 1.7 |
| KND4665B | 7 | 650 | 1.4 |
| KIA4750S | 9 | 500 | 0.9 |
| KIA5N60E | 4.5 | 600 | 2.5 |
| KIA730H | 6 | 400 | 1 |
| KIA7N80H | 7 | 800 | 1.9 |
|
KNP6140A |
10 | 400 | 0.5 |
| KIA10N65H10 | 10 | 650 | 0.75 |
| KIA12N60H | 12 | 600 | 0.65 |
| KIA12N65H | 12 | 650 | 0.75 |
| KIA13N50H | 13 | 500 | 0.48 |
| KIA18N50HF | 18 | 500 | 0.32 |
| KIA20N50H | 24 | 500 | 0.26 |
| KIA24N50H | 24 | 500 | 0.2 |
| KIA9N90S | 9 | 900 | 1.4 |
| KNP6650A | 15 | 500 | 0.45 |
| KIA40N20H | 40 | 200 | 0.1 |
| KIA6035A | 11 | 350 | 0.48 |
| KIA6110A | 15 | 100 | 0.11 |
| KNB1906B | 230 | 60 | 0.0035 |
| KIA7610A | 25 | 100 | 0.038 |
| KND4665B | 7 | 650 | 1.4 |
| KND830U | 8 | 500 | 0.9 |
| KIA10N80H | 10 | 800 | 1.1等 |
1.夾斷電壓Up
在UDS為某一固定值的條件下，使ID等于一個微小電流值(幾微安)時，柵極上所加偏壓UGS就是夾斷電壓。它適用于結型場效應管及耗盡型絕緣柵型場效應管。
2. 開啟電壓UT
在UDS為某一固定值的條件下，使S 極與D 極之間形成導電溝道的UGS就是開啟電壓。它只適用于增強型絕緣柵型場效應管。
3. 飽和電流IDSS
在UDS =0的條件下，漏極與源極之間所加電壓大于夾斷電壓時的溝道電流稱為飽和電流，它適用于耗盡型絕緣柵型場效應管。
4. 直流輸入電阻RGS
在場效應管輸入端(即柵源之間)所加的電壓Ucs 與流過的柵極電流之比，稱作直流輸入電阻。絕緣柵型場效應管的直流輸入電阻比結型場效應管大兩個數量級以上。結型場效應管的直流輸入電阻為1 X 10 8Ω，而絕緣柵型場效應管的直流輸入電阻為1 X 10 12Ω 以上。
5. 漏源擊穿電壓BVDS
在增大漏師、電壓的過程中.使ID開始劇增的UDS值，稱為漏源擊穿電壓。BVDS確定了場效應管的使用電壓。
6. 柵源擊穿電壓BVGS
對結型場效應管來說，反向飽和電流開始劇增時的UGS值，即為柵游、擊穿電壓。對于絕緣柵型場效應管來說，它是使SiO2 絕緣層擊穿的電壓。
1.跨導gm
在漏源電壓UDS一定時，漏極電流ID的微量變化和引起這個變化的柵源電壓微變量之比稱為跨導，即跨導是衡量場效應管柵源電壓UGS對漏極電流ID控制能力的一個參數，也是衡量場效應管放大作用的重要參數之一。
2. 漏源動態電阻rDS
在柵灑、電壓一定時， UDS的微小變化量與ID的變化量之比，稱為漏源動態內阻rDS ,即rDS的取值范圍一般為數千歐至數百千歐。
①極間電容
場效應管的三個電極間都存在著極間電容，即柵師、電容CGS、柵漏電容CGD和師、漏電容CDS。CGS和CGD一般為1 - 3pF , CDS約為0.1 - 1pF
②漏源最大電流IDM
它是指場效應管漏源極的允許通過的最大電流
③場效應管耗散功率PD
它是指場效應管工作時所耗散的功率
④低頻噪聲系數NF
場效應管的噪聲是由內部載流子運動的不規則性引起的。它的存在會使一個放大器即使在沒有信號輸入時，在輸出端也會出現不規則的電壓或電流的變化。場效應管的低頻噪聲系數要比半導體三極管小。
KIA半導體專業生產MOS管場效應管廠家（國家高新技術企業）成立于2005年，公司成立初期就明確立足本土市場，研發為先導，了解客戶需求，運用創新的集成電路設計方案和國際同步研發技術，結合中國市場的特點，向市場推出了BIPOLAR,CMOS,MOSSFET等電源相關產品，產品的穩定性，高性價比，良好的服務，以及和客戶充分的技術，市場溝通的嚴謹態度，在移動數碼，LCE,HID,LED,電動車，開關電源，逆變器，節能燈等領域深得客戶認可。
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