場效應管檢測維修圖文解析|必看-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2021-05-11
場效應晶體管（Field Effect Transistor縮寫(FET)）簡稱場效應管。主要有兩種類型（junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導體場效應管（metal-oxide semiconductor FET，簡稱MOS-FET）。由多數載流子參與導電，也稱為單極型晶體管。
它屬于電壓控制型半導體器件。具有輸入電阻高（107～1015Ω）、噪聲小、功耗低、動態范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現象、安全工作區域寬等優點，現已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強大競爭者。
場效應管（FET）是利用控制輸入回路的電場效應來控制輸出回路電流的一種半導體器件，并以此命名。由于它僅靠半導體中的多數載流子導電，又稱單極型晶體管。FET 英文為Field Effect Transistor，簡寫成FET。
場效應管工作原理用一句話說，就是“漏極-源極間流經溝道的ID，用以柵極與溝道間的pn結形成的反偏的柵極電壓控制ID”。
更正確地說，ID流經通路的寬度，即溝道截面積，它是由pn結反偏的變化，產生耗盡層擴展變化控制的緣故。
在VGS=0的非飽和區域，表示的過渡層的擴展因為不很大，根據漏極-源極間所加VDS的電場，源極區域的某些電子被漏極拉去，即從漏極向源極有電流ID流動。
從門極向漏極擴展的過度層將溝道的一部分構成堵塞型，ID飽和。將這種狀態稱為夾斷。這意味著過渡層將溝道的一部分阻擋，并不是電流被切斷。
在過渡層由于沒有電子、空穴的自由移動，在理想狀態下幾乎具有絕緣特性，通常電流也難流動。但是此時漏極-源極間的電場，實際上是兩個過渡層接觸漏極與門極下部附近，由于漂移電場拉去的高速電子通過過渡層。
因漂移電場的強度幾乎不變產生ID的飽和現象。其次，VGS向負的方向變化，讓VGS=VGS(off)，此時過渡層大致成為覆蓋全區域的狀態。
而且VDS的電場大部分加到過渡層上，將電子拉向漂移方向的電場，只有靠近源極的很短部分，這更使電流不能流通。
測量場效應管的好壞一般采用數字萬用表的二極管（蜂鳴擋）。測量前須將三只引腳短接放電，避免測量中發生誤差。用兩表筆任意觸碰場效應管的三只引腳中的兩只，好的場效應管測量結果應只有一次有讀數，并且在 400～800 之間。
如果在最終測量結果中測得只有一次有讀數，并且為“0”時，或者測量結果中有兩次讀數，須用小鑷子短接該組引腳重新進行測量。如果重測后阻值在 400～800 之間說明場效應管正常。如果其中有一組數據為0，則場效應管已經被擊穿。
場效應管的檢測步驟如下：
（1）首先觀察待測場效應管外觀，看待測場效應管是否完好，如果存在燒焦或針腳斷裂等情況說明場效應管已發生損壞，如圖1所示，本次待測的場效應管外型完好沒有明顯的物理損壞。
（2）待測場效應管外型完好沒有明顯損壞需進一步進行測量，用一小鑷子夾住待測場效應管用熱風焊臺將待測場效應管焊下。
（3）將場效應管從主板中卸下后，須用小刻刀清潔待測場效應管的引腳，如圖2所示。去除引腳上的污物，避免因油污的隔離作用影響測量時的準確性。
（4）清潔完成后，用小鑷子對待側場效應管進行放電避免殘留電荷對檢測的影響（場效應管極易存儲電荷）如圖3所示。
（5）選擇數字萬用表的 “二極管”擋，如圖4所示。
（6）將黑表筆接待測場效應管左邊的第一只引腳，用紅表筆分別去測與另外兩只引腳間的阻值，如圖5所示。兩次檢測均為無窮大。
（7）將黑表筆接中間的引腳，用紅表筆分別去測與另外兩只引腳間的阻值，如圖6所示。
（8）將黑表筆接在第三只引腳上，用紅筆筆分別去測另外兩只引腳與該引腳間的阻值如圖7所示。
（9）由于測量的場效應管的三只引腳中的任意兩只引腳的阻值，只有一次有讀（540），且阻值在 400～800 之間，因此判斷此場效應管正常。
聯系方式：鄒先生
聯系電話：0755-83888366-8022
手機：18123972950
QQ：2880195519
聯系地址：深圳市福田區車公廟天安數碼城天吉大廈CD座5C1
請搜微信公眾號:“KIA半導體”或掃一掃下圖“關注”官方微信公眾號
請“關注”官方微信公眾號:提供 MOS管 技術幫助
<ul id="ou8ay"></ul>