MOS管 IGBT|全橋驅動電路-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2021-03-18
本文介紹了全橋逆變電路的整個驅動部分。
信號發生電路：
信號發生電路比較簡單，主要是產生兩路帶死區互補的方波信號，一定要互補帶死區的方波信號，否則會造成MOS/IGBT誤導通，造成MOS/IGBT管損壞。
常見的信號發生電路有單片機、FPGA等處理芯片控制，也可以使用信號發生專用芯片控制兩路信號的產生，如UCC3895。
信號隔離電路：
全橋驅動電路-由于全橋逆變電路中的高壓極易通過驅動電路對控制電路的低壓形成干擾，故驅動信號和MOSFET的連接需要進行電氣上的隔離，采用變壓器隔離和光耦隔離是最常見的方式。
其中光耦隔離操作簡單，是經常使用的隔離方式。綜合考慮實驗要求、材料性能、性價比、制作成本等因素，選擇光耦6N137作為隔離器件。
6N137工作的頻率可以高達10MHz，輸出的導通時間為50ns，關斷時間為12ns，可起到隔離強電和弱電的作用。
全橋驅動電路：
信號發生電路產生的控制信號電流小，幅值低，無法使MOS管快速導通和關斷，因此需要MOS驅動器對信號進行放大，增大其功率，使其能夠快速導通關斷MOS管。
在全橋逆變電路中如果用只能驅動單個MOS管的常規驅動器，需要四個，會增大電路的面積，使電路變得臃腫。
IR2110（最高頻率500KHz）的高端懸浮自舉電源的設計，可以大大減少驅動電源的數目，即一組電源即可實現對上下端的控制。
IR2110兩個輸入端接6N137輸出的兩路控制信號。HO與VS分別接在MOS管Q3的柵極與源極，構成自舉電路，用來驅動上半橋的二極管；LO接在MOS管Q4的柵極，用來驅動下半橋的MOS管。
最后附上硬件電路圖：
其中輸入是帶死區互補的兩路方波信號，輸出控制全橋逆變電路的四個MOS管或IGBT管。
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