MOS管柵極反并聯(lián)二極管及MOS管并聯(lián)理論-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2021-03-17
經(jīng)常會看到MOS驅(qū)動電路中柵極電阻會反并聯(lián)一個二極管。
MOS使用在半橋電路中的情況特別多，而半橋電路要求上下管具有死區(qū)時間，可能由于之前電子技術(shù)還不夠先進，控制芯片無法生成互補的帶死區(qū)時間的PWM信號，只能通過MOS“慢開快關(guān)”來生成死區(qū)。
在柵極電阻上反并聯(lián)二極管就實現(xiàn)了MOS的快速關(guān)斷。
另外，大功率MOS一般用在不超過200V的低壓場合（當(dāng)然很早就有600V左右的高壓MOS，用在小功率的開關(guān)電源中），而且一般不采取負(fù)壓驅(qū)動。
驅(qū)動芯片一般也不會有米勒鉗位功能。要抑制米勒電容引起的寄生導(dǎo)通只能通過增加?xùn)艠O電容或者減小關(guān)斷狀態(tài)下的柵極回路阻抗，因此反并聯(lián)二極管對抑制寄生導(dǎo)通有一定作用。
(1)、晶體管具有負(fù)的溫度系數(shù)，即當(dāng)溫度升高時，導(dǎo)通電阻會變小。
(2)、MOS管具有正的溫度系數(shù)，即當(dāng)溫度升高時，導(dǎo)通電阻會逐漸變大。
相比于晶體管，MOS管的特性更加適合并聯(lián)電路中的均流，因此當(dāng)電路中電流很大時，一般會采用并聯(lián)MOS管的方法來進行分流。
采用MOS管進行電流的均流時，當(dāng)其中一路電流大于另一路MOS管中的電流時，電流大的MOS管產(chǎn)生的熱量多，從而引起導(dǎo)通電阻的增大，減少流過的電流；
MOS管之間根據(jù)電流大小的不同來反復(fù)調(diào)節(jié)，最后可實現(xiàn)兩個MOS管之間的電流均衡。
注：晶體管也可以通過并聯(lián)來實現(xiàn)大電流的流通，但是此時需要通過在基極串接驅(qū)動電阻來解決各個并聯(lián)晶體管之間的電流均衡問題。
晶體管(MOS管)并聯(lián)注意事項：
(1)、各個晶體管(MOS管)的基極(柵極)不能直接相連，要分別串接驅(qū)動電阻進行驅(qū)動，以防止振蕩。
(2)、要控制各個晶體管(MOS管)的開啟時間和關(guān)斷時間保持一致，因為如果不一致，先開啟的管子或后關(guān)斷的管子會因電流過大而擊穿損壞。
(3)、為了以防萬一，最好在各個晶體管(MOS)管的發(fā)射極(源極)串接均流電阻，當(dāng)然這并非強制選項。
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