關于對MOS管速度飽和的理解分析-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2021-01-20
MOS管速度飽和:一般而言，載流子速度正比于電場，斜率是載流子的遷移率；可當延溝道電場達到臨界值（某個根據(jù)散射效應計算的值）時，載流子的速度將會趨于飽和，稱為速度飽和效應。此時的載流子速度不會隨著電場增大而增大。
需要說明：
1.一般這種現(xiàn)象發(fā)生在短溝器件中。
2.如果不考慮速度飽和的情況，管子在Vgs-Vth<Vds的時候是會出現(xiàn)電阻工作區(qū)和飽和區(qū)兩種的，I隨V的變化分別呈現(xiàn)線性和二次模型。這兩個區(qū)域的名稱在模擬集成電路中有略微不同，叫做深三極管區(qū)和飽和區(qū)。
3.載流子的速度趨于飽和的主要原因是因為散射效應，也即是載流子間的碰撞導致的。
4.課本上將這個臨界值設置為ξc，并用下面這幅圖形象的描述了這個概念。
5.電子和空穴的飽和速度大致相同，是10^5m/s。
6.速度飽和發(fā)生的臨界電場強度取決于摻雜濃度和外加的垂直電場強度。
MOS管速度飽和：電子和空穴的飽和速度大致相同，即105m/s。速度飽和發(fā)生時的臨界電場強度取決于摻雜濃度和外加的垂直電場強度。對于電子,臨界電場在1~5 V/μm之間。
這意味著在溝道長度為0.25μm的NMOS器件中大約只需要2V左右的漏源電壓就可以達到飽和點，這一條件在當前的短溝器件中很容易滿足。在n型硅中需要稍高一些的電場才能達到飽和，因此在PMOS晶體管中速度飽和效應不太顯著。
速度飽和效應發(fā)生在這樣一個場景下：首先MOS管工作在飽和saturation區(qū)(vds>vgs-vth)，可是此時的Vgs-Vth太大了。
說明：將二極管接法的管子掃描Vgs，管子依次經歷，截止區(qū)，弱反型區(qū)，強反型區(qū)和速度飽和區(qū)。
對于工作在飽和區(qū)的管子其溝道電場強度為（Vgs-Vth）/Leff，該電場太大，則溝道載流子速度飽和了。 大Vds將把溝道截止點推向源區(qū)，使得Leff變小，但真正決定因素還是Vgs-Vth。
Vgs-Vth小于80mv時，飽和時管子工作在弱反型，100mv-400mv左右工作在強反型，400mv+則速度飽和了（前提：管子工作在飽和區(qū)Vds>Vgs-Vth）。
下圖用于解釋速度飽和效應，截止點的電勢為Vgs-Vth。
推導電流公式時，用的是單位長度平均載流子濃度乘以速度的方式，省去了繁瑣的積分方法，當電場強度（Vgs-Vth）/Leff超過臨界值時，溝道電子速度是u*（Vgs-Vth）/Leff變?yōu)楹愣ㄖ礦sat。
平方率退化為一次方率，這就是告訴大家，為什么你用平方律手算的W，L這么不準的原因了。
關鍵是要理解，飽和區(qū)管子的電場強度是（Vgs-Vth）/Leff，溝道電子速度是u*（Vgs-Vth）/Leff，當（Vgs-Vth）/Leff太大時，速度飽和了（半導體的性質）。
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