MOS管反相器基本概念及特性解析-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2020-12-21
MOS反相器的靜態特性
VoH:輸出電平為邏輯”1”時的最大輸出電壓
VoL:輸出電平為邏輯”0”時的最小輸出電壓
VIL:仍能維持輸出為邏輯”1”的最大輸入電壓
VIH:仍能維持輸出為邏輯”0"的最小輸入電壓
VM (邏輯閾值) :輸入等于輸出
反相器是構成邏輯電路的一個基本要素，無論是對于恢復邏輯電平的電路、與非門及或非門電路，還是對于各種形式的時序電路以及存儲器電路，它都是需要的。
MOS管反相器分為靜態反相器和動態反相器兩種結構形式。靜態反相器是動態反相器發展的基礎，通過分析各種靜態反相器的特點，才能充分利用各種靜態反相器性能優勢，在其基礎上發展和應用動態反相器。
反相器是這樣的電路，當其輸入信號為高電平時，其輸出為低電平，而當其輸入信號為低電平，其輸出則為高電平。反相器在電路中的表示符號如上圖所示。
增強型NMOS管負載反相器
1.負載NMOS管工作于飽和區的反相器
2.負載NMOS管工作于線性電阻區
耗盡型負載NMOS管反相器
CMOS反相器結構特點
CMOS反相器直流特性
1.功耗
CMOS反相器的耗功P由兩部分組成
(1)靜態功耗，即反向漏電造成的功耗PD;
(2)動態功耗，即反相器電平發生跳變時產生的功耗。
靜態功耗
2.動態功耗
以CMOS反相器為例來分析動態功耗。在輸入信號從邏輯0到邏輯1的跳變或輸入信號從邏輯1到邏輯0跳變的瞬間，CMOS反相器的NMOS晶體管和PMOS晶體管都處于導通狀態，這導致一個從電源Vpp到地的窄電流脈沖。
同時為了對負載電容進行充電和放電，也需要有電流流動，這將引起功耗。通常，對負載電容的充電和放電所需要的電流是造成動態功耗的主要因素。
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