元器件降額|MOS管二極管等器件降額規(guī)范-KIA MOS管

MOS管二極管等器件降額規(guī)范

二極管降額規(guī)范：二極管按功能可分為普通、開關(guān)、穩(wěn)壓等類型二極管;按工作頻率可分為低頻、高頻。

二極管;按耗散功率(或電流)可分為小功率(小電流)大功率(大電流)二極管。所有二極管需要降額的參數(shù)是基本相同的。

高溫是對二極管破壞性最強的應(yīng)力，所以對二極管的功率和結(jié)溫必須進行降額;電壓擊穿是導(dǎo)致二極管失效的另一主要因素，所以二極管的電壓也需降額。

二極管最高結(jié)溫的降額，根據(jù)二極管相關(guān)詳細規(guī)范給出的最高結(jié)溫Tjmax而定，降額后的最高結(jié)溫見表：

注:

1、所有降額是在結(jié)溫降額滿足的情況下的要求。

2、參數(shù)額定值需要從datasheet 中查詢。

3、如果參數(shù)額定值與溫度、時間無關(guān)，可直接降額。

4、如果參數(shù)額定值與溫度有關(guān)，則選取結(jié)溫最高時的參數(shù)進行降額。

5、如果與時間有關(guān)，則通過查找datasheet對應(yīng)的時間和溫度曲線，根據(jù)實際情況進行降額。

三極管mos管降額規(guī)范：

1.概述

晶體管按結(jié)構(gòu)可分為雙極型晶體管、場效應(yīng)晶體管（mos管）、單結(jié)晶體管等類型;按工作頻率可分為低頻晶體管和高頻晶體管;按耗散功率可分為小功率晶體管和大功率晶體管(簡稱功率晶體管)。

所有晶體管的降額參數(shù)是基本相同的，它們是電壓、電流和功率。但對MOS型場效應(yīng)晶體管、 功率晶體管的降額又有特殊的要求。高溫是對晶體管破壞性最強的應(yīng)力，因此晶體管的功耗和結(jié)溫須進行降額;

電壓擊穿是導(dǎo)致晶體管失效的另一主要因素，所以其電壓須降額。功率晶體管有二次擊穿的現(xiàn)象，因此要對它的安全工作區(qū)進行降額。

2.注意事項

（1）功率晶體管在遭受由于多次開關(guān)過程所致的溫度變化沖擊后會產(chǎn)生“熱疲勞”失效。使用時要根據(jù)功率晶體管的相關(guān)詳細規(guī)范要求限制殼溫的最大變化值。

（2）預(yù)計的瞬間電壓峰值和工作電壓峰值之和不得超過降額電壓的限定值。

（3）為保證電路長期可靠的工作，設(shè)計應(yīng)允許晶體管主要參數(shù)的設(shè)計容差為:

電流放大系數(shù):±15% (適用于已經(jīng)篩選的晶體管)±30% (適用于未經(jīng)篩選的晶體管)

漏電流:+200%

開關(guān)時間:+20%

飽和壓降:+15%

晶體管最高結(jié)溫的降額

晶體管最高結(jié)溫的降額，根據(jù)晶體管相關(guān)詳細規(guī)范給出的最高結(jié)溫Tjmax而定，降額后的最高結(jié)溫見表：

功率晶體管安全工作區(qū)的降額

半導(dǎo)體光電器件降額規(guī)范:

1.概述

半導(dǎo)體光電器件主要有三類:發(fā)光、光敏器件或兩者的結(jié)合。發(fā)光類器件主要有發(fā)光二極管、發(fā)光數(shù)碼管，光敏類器件有光敏二極管、光敏三極管，常用的光電組合器件是光電耦合器，它由發(fā)光二極管和光敏三極管組成。

高結(jié)溫和結(jié)點高電壓是半導(dǎo)體光電器件主要的破壞性應(yīng)力，結(jié)溫受結(jié)點電流或功率的影響，所以對半導(dǎo)體光電器件的結(jié)溫、電流或功率均需進行降額。

2.應(yīng)用指南

（1）發(fā)光二極管驅(qū)動電路必須限制電流，通常用一個串聯(lián)的電阻來實現(xiàn)。

（2）一般不應(yīng)采用經(jīng)半波或全波整流的交流正弦波電流作為發(fā)光二極管的驅(qū)動電流。如果確要使用，則不允許其電流峰值超過發(fā)光二極管的最大直流允許值。

（3）在整個壽命期內(nèi)，驅(qū)動電路應(yīng)允許光電耦合器電流傳輸比在降低15%的情祝下仍能正常工作。

3.降額準則

半導(dǎo)體光電器件電壓、電流見表。其中:

a)電壓從額定值降額;

b)電流從額定值降額;

最高結(jié)溫降額根據(jù)光電器件相關(guān)詳細規(guī)范給出的最高結(jié)溫Tjmax而定。

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