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LED電源發(fā)熱燒壞MOS管五大技術(shù)點(diǎn)分析

信息來源：本站　日期：2017-06-06　

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1、芯片發(fā)熱

本次內(nèi)容主要針對內(nèi)置電源調(diào)制器的高壓驅(qū)動芯片。假定芯片耗費(fèi)的電流為2mA，300V的電壓加在芯片上面，芯片的功耗為0.6W，當(dāng)然會惹起芯片的發(fā)熱。驅(qū)動MOS管芯片的最大電流來自于驅(qū)動功率MOS管的耗費(fèi)，簡單的計(jì)算公式為I=cvf（思索充電的電阻效益，理論I=2cvf，其中c為功率MOS管的cgs電容，v為功率管導(dǎo)通時(shí)的gate電壓，所以為了降低芯片的功耗，必需想方法降低c、v和f.假定c、v和f不能改動，那么請想方法將芯片的功耗分到芯片外的器件，留意不要引入額外的功耗。再簡單一點(diǎn)，就是思索更好的散熱吧。

2、功率管發(fā)熱

關(guān)于這個(gè)問題，也見到過有人在電源網(wǎng)論壇發(fā)過貼。功率管的功耗分紅兩局部，開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗。要留意，大多數(shù)場所特別是LED市電驅(qū)動應(yīng)用，開關(guān)損傷要遠(yuǎn)大于導(dǎo)通損耗。開關(guān)損耗與功率管的cgd和cgs以及芯片的驅(qū)動才干和工作頻率有關(guān)，所以要處置功率管的發(fā)熱能夠從以下幾個(gè)方面處置：
A、不能片面依據(jù)導(dǎo)通電阻大小來選擇MOS功率管，由于內(nèi)阻越小，cgs和cgd電容越大。如1N60的cgs為250pF左右，2N60的cgs為350pF左右，5N60的cgs為1200pF左右，差異太大了，選擇功率管時(shí)，夠用就能夠了。

B、剩下的就是頻率和芯片驅(qū)動才干了，這里只談?lì)l率的影響。頻率與導(dǎo)通損耗也成正比，所以功率管發(fā)熱時(shí)，首先要想想是不是頻率選擇的有點(diǎn)高。想方法降低頻率吧！不過要留意，當(dāng)頻率降低時(shí)，為了得到相同的負(fù)載才干，峰值電流必然要變大或者電感也變大，這都有可能招致電感進(jìn)入飽和區(qū)域。假定電感飽和電流夠大，能夠思索將CCM（連續(xù)電流方式）改動成DCM（非連續(xù)電流方式），這樣就需求增加一個(gè)負(fù)載電容了。

3、工作頻率降頻

這個(gè)也是用戶在調(diào)試過程中比擬常見的現(xiàn)象，降頻主要由兩個(gè)方面招致。輸入電壓和負(fù)載電壓的比例小、系統(tǒng)干擾大。關(guān)于前者，留意不要將負(fù)載電壓設(shè)置的太高，固然負(fù)載電壓高，效率會高點(diǎn)。關(guān)于后者，能夠嘗試以下幾個(gè)方面：a、將最小電流設(shè)置的再小點(diǎn);b、布線潔凈點(diǎn)，特別是sense這個(gè)關(guān)鍵途徑;c、將電感選擇的小點(diǎn)或者選用閉合磁路的電感;d、加RC低通濾波吧，這個(gè)影響有點(diǎn)不好，C的分歧性不好，傾向有點(diǎn)大，不過關(guān)于照明來說應(yīng)該夠了。無論如何降頻沒有益處，只需害處，所以一定要處置。

4、電感或者變壓器的選擇

終于談到重點(diǎn)了，我還沒有入門，只能瞎說點(diǎn)飽和的影響了。很多用戶反響，相同的驅(qū)動電路，用a消費(fèi)的電感沒有問題，用b消費(fèi)的電感電流就變小了。遇到這種狀況，要看看電感電流波形。有的工程師沒有留意到這個(gè)現(xiàn)象，直接調(diào)理sense電阻或者工作頻率抵達(dá)需求的電流，這樣做可能會嚴(yán)重影響LED的運(yùn)用壽命。所以說，在設(shè)計(jì)前，合理的計(jì)算是必需的，假定理論計(jì)算的參數(shù)和調(diào)試參數(shù)差的有點(diǎn)遠(yuǎn)，要思索能否降頻和變壓器能否飽和。變壓器飽和時(shí)，L會變小，招致傳輸delay惹起的峰值電流增量急劇上升，那么LED的峰值電流也跟著增加。在均勻電流不變的前提下，只能看著光衰了。

5、LED電流大小
大家都曉得LEDripple過大的話，LED壽命會遭到影響，影響有多大，也沒見過哪個(gè)專家說過。以前問過LED廠這個(gè)數(shù)據(jù)，他們說30%以內(nèi)都能夠承受，不過后來沒有經(jīng)過考證。倡議還是盡量控制小點(diǎn)。假定散熱處置的不好的話，LED一定要降額運(yùn)用。也希望有專家能給個(gè)細(xì)致指標(biāo)，要不然影響LED的推行。