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場效應管靜態工作點解析及設置靜態工作點的要求-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2020-09-29 

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場效應管靜態工作點解析及設置靜態工作點的要求-KIA MOS管

MOS管的靜態工作點的計算

場效應管靜態工作點,據場效應管的特點,利用雙極型三極管與場效應管的電極對應關系,即b→G,e→S,c→D,即可在單管共射放大電路的基礎上,組成共源極放大電路。


場效應管靜態工作點


上圖是一個由N溝道增強型MOS場效應管組成的單管共源極放大電路的原理電路圖。為了使場效應管工作在恒流區以實現放大作用,對于N溝道增強型MOS管來說,應滿足以下條件:uGS>UT uDS>uGS-UT 其中UT為N溝道增強型MOS場效應管的開啟電壓。


一、靜態分析  為了分析共源極放大電路的靜態工作點,可以利用近似估算法或圖解法。(一)近似估算法  在上圖中,由于MOS場效應管的柵極電流為零,因此電阻RG上沒有電壓降,則當輸入電壓等于零時 UGSQ=VGG(2.7.1)由上圖可得UDSQ=VDD-IDQRD(2.7.4)


(二)圖解法

場效應管靜態工作點,為了用圖解法確定靜態工作點,應先畫出直流負載線。由上圖電路的漏極回路可列了以下方程:uDS=VDD-iDRD根據以上方程,在場效應管的輸出特性曲線上畫出直流負載線,如下圖所示。直流負載線與uGS=UGSQ=VGG的一條輸出特性的交點即是靜態工作點Q。由圖可得靜態時的IDQ和UDSQ,見下圖。


場效應管靜態工作點


二、動態分析 同樣可以利用微變等效電路法對場效應管放大電路進行動態分析。首先討論場效應管的等效電路。由于漏極電流iD是柵源電壓uGS和漏源電壓uGS的函數,根據式(2.7.8)可畫出場效應管的微變等效電路,如下圖所示。圖中柵極與源極之間雖然有一個電壓Ugs,但是沒有柵極電流,所以柵極是懸空的。D、S之間的電流源gmUgs也是一個受控源,體現了Ugs對Id的控制作用。


場效應管靜態工作點


等效電路中有兩個微變參數:gm和rDS。它們的數值可以根據式(2.7.6)和(2.7.7)中的定義,在場效應管的特性曲線上通過作圖的方法求得。一般gm的數值約為0.1至20mS。rDS的數值通常為幾百千歐的數量級。當漏極負載電阻RD比rDS小得多,可認為等效電路中的rDS開路。


2.7.2 分壓-自偏壓式共源放大電路靜態時,柵極電壓由VDD經電阻R1、R2分壓后提供,靜態漏極電流渡過電阻RS產生一個自偏壓,場效應管的靜態偏置電壓UGSQ由分壓和自偏壓的結果共同決定,因此稱為分壓-自偏壓式共源放大電路。引入源極電阻RS也有利于穩定靜態工作點,而旁路電容CS必須足夠大,以免影響電壓放大倍數。接入柵極電阻RG的作用是提高放大電路的輸入電阻。


一、靜態分析(一)近似估算法 根據圖2.7.7的輸入回路可求得  UDSQ=VDD-IDQ(RD+RS)(2.7.13)(二)圖解法 為了分析分壓-自偏壓式共源放大電路的靜態工作點,也可心在場效應管轉移特性和漏極特性上利用作圖的方法求解。


場效應管靜態工作點


場效應管靜態工作點,表達式可用一條直線表示,見上圖(a)。另外,iD與uGS之間又必須滿足轉移特曲線的規律,所以二者的交點即是靜態工作點Q。根據轉移特性上Q點的位置可求得靜態的UGSQ和IDQ值,見上圖(a)。電路的漏極回路可列出以下方程:uDS=VDD—iD(RD+RS)由此可在漏極特性曲線上畫出直流負載線,見上圖(b)。直流負載線與uGS=UGSQ一條漏極特性的交點確定了漏極特性曲線上Q點的位置。由此可找到靜態時的UDSQ和IDQ值。


不同類型場效應管構成的基本放大電路,在設置靜態工作點時有何特殊要求?

根據場效應管的類型及其特性,為設置合適的靜態工作點,在輸入回路和輸出回路應分別加上合適的直流。表一中列出了各類fet對偏置電壓的要求。在實際電路中,常采用自給偏壓電路和分壓式偏置電路。



自給柵偏壓電路——只能用于耗盡型場效應管


場效應管靜態工作點


n溝道耗盡型絕緣柵場效應管的自給柵偏壓電路如圖1(a)所示。其直流通路如圖1(b)所示。因柵極電流ig≈0,靜態時柵極直流電位vg=0,且耗盡型場效應管即使在vgs=0時也存在導電溝道,所以id流過rs產生的直流壓降vgs=vg-vs= -idrs,正好作為偏置電壓。注意這種電路只適用于耗盡型場效應管,而不適用于增強型場效應管。這是因為圖e4a20231001z 01中若n溝道耗盡型絕緣柵場效應管換成n溝道增強型絕緣柵場效應管,則因n溝道增強型絕緣柵場效應管要求vgs>;0,而該電路不能提供正確的偏置條件,不適用于增強型場效應管。雙極型顯然也不能采用這種偏置電路。




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