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KNX3706A 50A/60V N溝道MOS管中文資料、封裝、參數-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2019-06-04 

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MOS管3706產品概述

KIA半導體的KNX3706A產品是一種高密度溝槽N-ch MOSFET,它提供了優良的RDS(ON)和大多數同步降壓變換器應用的柵極電荷。KNX3706A滿足RoHS和綠色產品的要求,100%EAS保證功能的可靠性得到認可。


MOS管KNX3706A產品特征

RDS(ON),typ.=9mΩ@VGS=10V

氮氣保護

超低柵極電荷

最佳Cdv/dt效應衰減

高級高密度槽技術


MOS管KNX3706A封裝圖

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KNX3706A 50A/60V產品參數

電流:50A

電壓:60V

漏源極電壓:60V

柵源電壓:±20V

脈沖漏電流:100A

單脈沖雪崩能:72.2MJ

雪崩電流:38A

接頭和儲存溫度范圍:-55℃至150℃

總功耗:42W

漏源擊穿電壓:60V

輸入電容:3220pF

輸出電容:210pF

反向轉移電容:145pF

連續源電流:50A

脈沖源電流:100A


MOS管KNX3706A 50A/60V規格書

查看及下載規格書,請點擊下圖。


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