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國產MOS管KIA3308A代替HY3008B產品規格書-國產原廠制造-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2019-03-11 

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KIA3308A代替HY3008B,國產MOS管

國產MOS管KIA3308A代替HY3008B

下文將會詳細的介紹國產MOS管KIA3308A和HY3008B兩個產品的主要參數、封裝、應用領域等產品信息。KIA半導體是一家專業從事中、大、功率場效應管(MOSFET)、快速恢復二極管、三端穩壓管開發設計,集研發、生產和銷售為一體的國家高新技術企業。


已經擁有了獨立的研發中心,研發人員以來自韓國(臺灣)超一流團隊,可以快速根據客戶應用領域的個性來設計方案,同時引進多臺國外先進設備,業務含括功率器件的直流參數檢測、雪崩能量檢測、可靠性實驗、系統分析、失效分析等領域。

強大的研發平臺,使得KIA在工藝制造、產品設計方面擁有知識產權35項,并掌握多項場效應管核心制造技術。自主研發已經成為了企業的核心競爭力。

KIA3308A代替HY3008B,國產MOS管

從設計研發到制造再到倉儲物流,KIA半導體真正實現了一體化的服務鏈,真正做到了服務細節全到位的品牌內涵,我們致力于成為場效應管(MOSFET)功率器件領域的領跑者,為了這個目標,KIA半導體正在持續創新,永不止步!


國產MOS管KIA3308A產品特征

RDS(ON)=6.2mΩ(typ)@VGS=10V

提供無鉛環保設備

降低導電損耗的低RD值

高雪崩電流


國產MOS管KIA3308A應用領域

電力供應

直流變換器


國產MOS管KIA3308A封裝

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國產MOS管KIA3308A主要參數

型號:KIA3308A

電流:80A

電壓:80V

漏源極電壓:80V

柵源電壓:±25

脈沖漏電流:340A

雪崩電流:20A

雪崩能源:410MJ


KIA3308A產品規格書

查看規格書,請點擊下圖。

KIA3308A代替HY3008B,國產MOS管


KIA3308A代替HY3008B-HY3008B產品主要參數

電流:100A

電壓:80V

漏源極電壓:80V

柵源電壓:±25

二極管連續正向電流:100A

漏極擊穿電壓:80V

柵極電阻:1.0?


HY3008B封裝圖

KIA3308A代替HY3008B,國產MOS管


HY3008B產品規格書

查看規格書,請點擊下圖。

KIA3308A代替HY3008B,國產MOS管



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