KNF6140S場效應管漏源擊穿電壓400V,漏極電流11A,極低導通電阻RDS(on)=0.53Ω...KNF6140S場效應管漏源擊穿電壓400V,漏極電流11A,極低導通電阻RDS(on)=0.53Ω,低柵極電荷15.7nC,可最大限度地減少導電損失;具有高堅固性、快速切換、100%雪崩...
它在B處提供一系列窄脈沖,當電容充電到UT的峰值電壓(V_)時,UJT開啟。這會在發(fā)...它在B處提供一系列窄脈沖,當電容充電到UT的峰值電壓(V_)時,UJT開啟。這會在發(fā)射極–基極1結上放置一個低電阻,并且發(fā)射極電流流過脈沖變壓器的初級,將柵極信號...
分立器件 結構:在硅片上通過摻雜、擴散等工藝形成,通常只有一個或少數(shù)幾個P...分立器件 結構:在硅片上通過摻雜、擴散等工藝形成,通常只有一個或少數(shù)幾個PN結。 功能:具有單獨功能的電子器件,如二極管、晶體管等。
KND6610A場效應管漏源擊穿電壓100V,漏極電流15A,?采用先進的平面溝槽技術,...KND6610A場效應管漏源擊穿電壓100V,漏極電流15A,?采用先進的平面溝槽技術,極低導通電阻RDS(on)=83mΩ,可最大限度地減少導電損失,提供卓越的開關性能,并能夠...
在設計驅動變壓器時,其關鍵電氣參數(shù)中的兩個參數(shù)(漏電感值和繞組電容量)是需要...在設計驅動變壓器時,其關鍵電氣參數(shù)中的兩個參數(shù)(漏電感值和繞組電容量)是需要控制的。因為大的漏電感值和繞組電容量可能引起諸如相位漂移、時間誤差、噪聲和上沖...