近年來，以碳化硅（Silicon Carbide, SiC）MOSFET 為代表的寬禁帶半導體器件因...近年來，以碳化硅（Silicon Carbide, SiC）MOSFET 為代表的寬禁帶半導體器件因其具有高開關頻率、高開關速度、高熱導率等優點，已成為高頻、高溫、高功率密度電力...
①插入式封裝：TO-3P、TO-247、TO-220、TO-220F、TO-251、TO-92； ②表面貼裝...①插入式封裝：TO-3P、TO-247、TO-220、TO-220F、TO-251、TO-92； ②表面貼裝式：TO-263、TO-252、SOP-8、SOT-23、DFN5*6、DFN3*3；
超結結構的功率MOSFET在VDS電壓上升、橫向電場建立產生耗盡層（空間電荷區）過...超結結構的功率MOSFET在VDS電壓上升、橫向電場建立產生耗盡層（空間電荷區）過程中，N型漂移層兩側的空間電荷區邊界會向中心移動，如圖2所示，隨著VDS電壓的升高，...
這是有刷直流電機PWM的H橋恒流驅動電路示例。這是普通的驅動器電路，可以使用內...這是有刷直流電機PWM的H橋恒流驅動電路示例。這是普通的驅動器電路，可以使用內置的比較器進行電機電流的ON/OFF控制，即PWM控制。
電池測試、電化學阻抗譜和半導體測試等測試和測量應用需要準確的電流和電壓輸出...電池測試、電化學阻抗譜和半導體測試等測試和測量應用需要準確的電流和電壓輸出直流電源。在環境溫度變化為±5°C時，設備的電流和電壓控制精度需要優于滿量程的±...
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