MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）主要用于開(kāi)關(guān)應(yīng)用中，具有高電壓和高電...MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）主要用于開(kāi)關(guān)應(yīng)用中，具有高電壓和高電流的特點(diǎn)。它們具有更高的效率和更優(yōu)良的高速開(kāi)關(guān)能力，因此成為電源開(kāi)關(guān)設(shè)計(jì)中的最...
電機(jī)驅(qū)動(dòng)作為工業(yè)中工廠自動(dòng)化整個(gè)閉環(huán)中的執(zhí)行器環(huán)節(jié)，其性能好壞直接影響到整...電機(jī)驅(qū)動(dòng)作為工業(yè)中工廠自動(dòng)化整個(gè)閉環(huán)中的執(zhí)行器環(huán)節(jié)，其性能好壞直接影響到整個(gè)閉環(huán)的性能。因此，工業(yè)對(duì)電機(jī)驅(qū)動(dòng)提出了更高的性能和功能要求，例如更快的響應(yīng)速...
通過(guò)實(shí)測(cè)兩款芯片SLM2184S和IR2184S的性能來(lái)說(shuō)明驅(qū)動(dòng)電流建立時(shí)間對(duì)驅(qū)動(dòng)速度的...通過(guò)實(shí)測(cè)兩款芯片SLM2184S和IR2184S的性能來(lái)說(shuō)明驅(qū)動(dòng)電流建立時(shí)間對(duì)驅(qū)動(dòng)速度的影響。 表格1對(duì)比了SLM2184S和IR2184S的各項(xiàng)測(cè)試。雖然SLM2184S的峰值源電流[IO+]和...
功率器件如MOSFET、IGBT需要驅(qū)動(dòng)電路的配合從而得以正常地工作。圖1顯示了一個(gè)...功率器件如MOSFET、IGBT需要驅(qū)動(dòng)電路的配合從而得以正常地工作。圖1顯示了一個(gè)驅(qū)動(dòng)芯片驅(qū)動(dòng)一個(gè)功率MOSFET的電路。當(dāng)M1開(kāi)通，M2關(guān)掉的時(shí)候，電源VCC通過(guò)M1和Rg給C...
MOSFET和三極管都有ON狀態(tài)，那么在處于ON狀態(tài)時(shí)，這兩者有什么區(qū)別呢? MOSFE...MOSFET和三極管都有ON狀態(tài)，那么在處于ON狀態(tài)時(shí)，這兩者有什么區(qū)別呢? MOSFET和三極管，在ON狀態(tài)時(shí)，MOSFET通常用Rds，三極管通常用飽和Vce。那么是否存在能夠反...
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