KCY3310A場效應管采用先進的SGT技術，漏源擊穿電壓100V，漏極電流85A；低導通電...KCY3310A場效應管采用先進的SGT技術，漏源擊穿電壓100V，漏極電流85A；低導通電阻RDS（導通）僅為5mΩ，極低的開關損耗，低RDS（開啟）和FOM，最小化導通電阻，開...
當控制信號UA為高電平時，開關管VT1導通，輸入電壓施加到變壓器初級繞組Np1，形...當控制信號UA為高電平時，開關管VT1導通，輸入電壓施加到變壓器初級繞組Np1，形成初級電流Ip1。此時次級繞組Ns2感應出電壓，使二極管 VD2導通，電流經濾波電感L向...
嘯叫主要發生在MLCC和感性器件，在一些包含音頻功能的產品如手機、運動相機中，...嘯叫主要發生在MLCC和感性器件，在一些包含音頻功能的產品如手機、運動相機中，嘯叫會嚴重干擾產品的音頻性能。一般而言，具備如下特征的電容和電路設計更容易產生...
高效開關電源專用MOS管KIA2N65HD漏源擊穿電壓60V，漏極電流230A；采用先進的平...高效開關電源專用MOS管KIA2N65HD漏源擊穿電壓60V，漏極電流230A；采用先進的平面條紋DMOS技術，?低導通電阻RDS(開啟) 4.3Ω，低柵極電荷6.5nC，?最小化導通電阻...
半橋網絡：由兩個MOS管（Q1、Q2）組成，交替導通。 諧振網絡：包括諧振電感Lr...半橋網絡：由兩個MOS管（Q1、Q2）組成，交替導通。 諧振網絡：包括諧振電感Lr、諧振電容Cr、勵磁電感Lm（通常為變壓器漏感與勵磁電感組合）。 副邊整流：通過變...
