SJ MOSFET的技術(shù)主要有兩種，其一為由英飛凌（Infineon）開(kāi)發(fā)的多磊晶技術(shù)，藉...SJ MOSFET的技術(shù)主要有兩種，其一為由英飛凌（Infineon）開(kāi)發(fā)的多磊晶技術(shù)，藉由摻雜（doping）磊晶在磊晶層上形成島狀的摻雜區(qū)域，使該區(qū)域擴(kuò)散形成一個(gè)氮摻雜（...
很多讀者第一次接觸到這兩個(gè)名詞的時(shí)候，可能會(huì)顧名思義地認(rèn)為，平面型IGBT的電...很多讀者第一次接觸到這兩個(gè)名詞的時(shí)候，可能會(huì)顧名思義地認(rèn)為，平面型IGBT的電流就是水平流動(dòng)的，而溝槽柵IGBT的電流就是在垂直方向上流動(dòng)的。其實(shí)這是一個(gè)誤解，...
測(cè)量開(kāi)關(guān)電源輸出紋波和功率MOSFET的VDS、VGS電壓的時(shí)候，通常要去除示波器探頭...測(cè)量開(kāi)關(guān)電源輸出紋波和功率MOSFET的VDS、VGS電壓的時(shí)候，通常要去除示波器探頭的帽子，直接將探頭的信號(hào)尖端和地線接觸被測(cè)量位置的兩端，減小地線的環(huán)路，從而減...
當(dāng)只有3V電源時(shí)，VOUT采用3V供電；當(dāng)5V電源有效時(shí)，切換至5V供電。當(dāng)只有3V電源時(shí)，VOUT采用3V供電；當(dāng)5V電源有效時(shí)，切換至5V供電。
混合集成電路（HIC），是單獨(dú)的裝置，例如半導(dǎo)體器件的構(gòu)造的小型化的電子電路...混合集成電路（HIC），是單獨(dú)的裝置，例如半導(dǎo)體器件的構(gòu)造的小型化的電子電路（例如晶體管，二極管或單片集成電路）和無(wú)源元件（例如電阻器、電感器、變壓器和電...
