1、SiC MOSFET的晶元面積小于IGBT晶元面積，短路時(shí)候散熱能力不及IGBT。 2、I...1、SiC MOSFET的晶元面積小于IGBT晶元面積，短路時(shí)候散熱能力不及IGBT。 2、IGBT短路后能夠退飽和（desaturation）進(jìn)入線性區(qū)，電流不再增加，能夠自我限流。
1、降壓拓?fù)淙缟蠄D，要想掌握降壓電路，必須深刻理解拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，幾乎所有降壓DC...1、降壓拓?fù)淙缟蠄D，要想掌握降壓電路，必須深刻理解拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，幾乎所有降壓DC to DC 都是基于此拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。 2、環(huán)路一，開關(guān)導(dǎo)通時(shí)的電流路徑；環(huán)路二，開關(guān)閉合...
PFC的英文全稱為“Power Factor Correction”，意思是“功率因數(shù)校正”，功率因...PFC的英文全稱為“Power Factor Correction”，意思是“功率因數(shù)校正”，功率因數(shù)指的是有效功率與總耗電量（視在功率）之間的關(guān)系，也就是有效功率除以總耗電量（...
某些IGBT是單裸片組件，要么結(jié)合單片二極管作，要么不結(jié)合二極管；然而，大多數(shù)...某些IGBT是單裸片組件，要么結(jié)合單片二極管作，要么不結(jié)合二極管；然而，大多數(shù)IGBT結(jié)合了聯(lián)合封裝的二極管。大多數(shù)制造商提供單個(gè)θ值，用于計(jì)算結(jié)點(diǎn)至外殼熱阻抗...
溫度控制是MOSFET或IGBT功率模塊有效工作的關(guān)鍵因素之一。盡管某些MOSFET配有內(nèi)...溫度控制是MOSFET或IGBT功率模塊有效工作的關(guān)鍵因素之一。盡管某些MOSFET配有內(nèi)部溫度傳感器 (體二極管)，但其他方法也可以用來監(jiān)控溫度。
