為了有效地抑制短溝道效應，并保持良好的亞閾值斜率，柵氧化層厚度要和溝道長度...為了有效地抑制短溝道效應，并保持良好的亞閾值斜率，柵氧化層厚度要和溝道長度以同樣的比例下降。對于0.1μm尺度的CMOS器件，柵氧化層厚度需達到3nm左右。對于超...
電子電路中常用的保護器件有：穩壓二極管、瞬態電壓抑制TVS管、ESD放電二極管、...電子電路中常用的保護器件有：穩壓二極管、瞬態電壓抑制TVS管、ESD放電二極管、半導體放電管等先進的新型電子元器件。保護元器件，主要保護電子電路中的精密器件免...
瞬態電壓抑制二極管（Transient Voltage Suppressor）簡稱TVS，是一種二極管形...瞬態電壓抑制二極管（Transient Voltage Suppressor）簡稱TVS，是一種二極管形式的高效能保護器件。當TVS 二極管的兩極受到反向瞬態高能量沖擊時，它能以10的負12...
絕緣柵場效應管的種類較多，有PMOS、NMOS和VMOS功率管等，但應用最多的是MOS管...絕緣柵場效應管的種類較多，有PMOS、NMOS和VMOS功率管等，但應用最多的是MOS管。MOS絕緣柵場效應管也即金屬一氧化物一半導體場效應管，通常用MOS表示，簡稱作MOS管...
N溝道場效應管柵極（G極）電壓是否可以大于漏極（D極）電壓？為什么？答案：完...N溝道場效應管柵極（G極）電壓是否可以大于漏極（D極）電壓？為什么？答案：完全是可以的；場效應管完全導通時其G極電壓就比D極電壓高。
