回滯類的ESD器件包括NPN三極管、柵極接地 NMOS ( GGNMOS, Gate-grounded NMOS ...回滯類的ESD器件包括NPN三極管、柵極接地 NMOS ( GGNMOS, Gate-grounded NMOS )、可控硅(SCR, siliconcontrolled rectifier)等。 非回滯類的ESD器件包括二極管、...
齊納二極管（ Zener Diodes ，也稱穩(wěn)壓二極管 ） ：利用齊納二極管的反向擊穿特...齊納二極管（ Zener Diodes ，也稱穩(wěn)壓二極管 ） ：利用齊納二極管的反向擊穿特性可以保護(hù) ESD敏感器件。但是齊納二極管通常有幾十 pF 的電容，這對于高速信號（例...
在PCB板的設(shè)計當(dāng)中,可以通過分層、恰當(dāng)?shù)牟季植季€和安裝實現(xiàn)PCB的抗ESD設(shè)計。在...在PCB板的設(shè)計當(dāng)中,可以通過分層、恰當(dāng)?shù)牟季植季€和安裝實現(xiàn)PCB的抗ESD設(shè)計。在設(shè)計過程中,通過預(yù)測可以將絕大多數(shù)設(shè)計修改僅限于增減元器件。通過調(diào)整PCB布局布線...
1、最大工作電壓(Max Working Voltage) 允許長期連續(xù)施加在ESD保護(hù)器件兩端的...1、最大工作電壓(Max Working Voltage) 允許長期連續(xù)施加在ESD保護(hù)器件兩端的電壓(有效值)，在此工作狀態(tài)下ESD器件不導(dǎo)通，保持高阻狀態(tài)，反向漏電流很小。
短路故障是導(dǎo)致SiC MOSFET失效的重要原因之一，盡管SiC MOSFET具有較好的導(dǎo)熱性...短路故障是導(dǎo)致SiC MOSFET失效的重要原因之一，盡管SiC MOSFET具有較好的導(dǎo)熱性能，但與Si器件和SiC MOSFET的短路性能相比，SiC MOSFET的短路保護(hù)在以下幾個方面更...
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