“IC電路電流×電源電壓”雖然不錯，但“流過電機的電流×電源電壓”中卻含有電...“IC電路電流×電源電壓”雖然不錯，但“流過電機的電流×電源電壓”中卻含有電機的功耗，因此，正確的做法是應先求出電機驅動器IC的輸出功耗，再加上IC電路的功耗...
如圖1所示，基于雙脈沖的思路，搭建雙管并聯的主回路和驅動回路，并設置相關雜...如圖1所示，基于雙脈沖的思路，搭建雙管并聯的主回路和驅動回路，并設置相關雜散參數，環境溫度為室溫。 外部主回路：直流源800Vdc、母線電容Capacitor（含寄生參...
MOSFET數據手冊中最突出的規格之一是漏極 - 源極導通電阻，縮寫為R DS （on）。...MOSFET數據手冊中最突出的規格之一是漏極 - 源極導通電阻，縮寫為R DS （on）。這個R DS （on）的想法看起來非常簡單：當FET截止時，源極和漏極之間的電阻非常高 ...
圖1顯示的是，在TI CSD18531Q5A 60V MOSFET的兩個不同di/dt速率上測得的輸出電...圖1顯示的是，在TI CSD18531Q5A 60V MOSFET的兩個不同di/dt速率上測得的輸出電荷和反向恢復電荷，這代表了一個事物的兩個方面。在左側，Qrr在360A/μs時測得的值為...
所有半導體器件都具有一定的最大反向電壓額定值（功率 MOSFET 的 BV DSS）。高...所有半導體器件都具有一定的最大反向電壓額定值（功率 MOSFET 的 BV DSS）。高于此閾值的操作將導致反向偏置 pn 結中的高電場。由于碰撞電離，高電場會產生電子-空...
