首先考慮當(dāng)開關(guān)打開時，初級繞組將進(jìn)行充電并且在初級繞組內(nèi)有電流流動，這樣我...首先考慮當(dāng)開關(guān)打開時，初級繞組將進(jìn)行充電并且在初級繞組內(nèi)有電流流動，這樣我們就可以根據(jù)KVL方程得到如下的關(guān)系式：Vin – VL – Vs = 0；
DCM和CCM的判斷，并非只是單純按照初級電流是否連續(xù)來進(jìn)行判斷，而是要根據(jù)初，...DCM和CCM的判斷，并非只是單純按照初級電流是否連續(xù)來進(jìn)行判斷，而是要根據(jù)初，次級的電流合成來判斷的。只要初，次級電流不是同時為零，那就是CCM模式。二如果存...
微變等效電路法：在小信號條件下，把非線性的晶體管用線性模型來代替，用線性電...微變等效電路法：在小信號條件下，把非線性的晶體管用線性模型來代替，用線性電路的分析方法來計(jì)算基本放大電路。
舉個例子，比如輸入的柵源信號是Vgs+VGS，分析小信號時，只看Vgs，這樣在電路中...舉個例子，比如輸入的柵源信號是Vgs+VGS，分析小信號時，只看Vgs，這樣在電路中其作用產(chǎn)生的Ids為IDS關(guān)于VGS（直流信號）求偏導(dǎo)后乘以Vgs，這里的IDS關(guān)于VGS求偏導(dǎo)...
在飽和區(qū)時MOS管的漏極電流是柵源電壓的函數(shù),即為一個壓控電流源，電流值為，且...在飽和區(qū)時MOS管的漏極電流是柵源電壓的函數(shù),即為一個壓控電流源，電流值為，且由于柵源之間的低頻阻抗很高，因此可得到一個理想的MOS管的小信號模型，如圖所示。...
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