所有的MOS管導通后都存在導通內阻，當電流流過之后就會產生功率損耗，一般用RD...所有的MOS管導通后都存在導通內阻，當電流流過之后就會產生功率損耗，一般用RDS(ON)來表示，傳導損耗一般來說和MOS的大小成反比，體積越大，其導通電阻一般能做的...
如圖1所示為SiC MOSFET的半橋應用電路，上管QH開通過程會在橋臂中點產生高速變...如圖1所示為SiC MOSFET的半橋應用電路，上管QH開通過程會在橋臂中點產生高速變化的dv/dt，下管Vds電壓變化通過米勒電容CGD產生位移電流，從而在門極驅動電阻和寄生...
通過調節RON/ROFF 的大小可以來調整 MOSFET 的開通/關斷速度：增大RON/ROFF來減...通過調節RON/ROFF 的大小可以來調整 MOSFET 的開通/關斷速度：增大RON/ROFF來減慢MOSFET開通/關斷的速度，減小 dv/dt (di/dt) 從而減小門極電壓尖峰。
圖1顯示了米勒效應帶來的誤開通。當 MOSFET 關斷而對管導通時， Vds 電壓快速的...圖1顯示了米勒效應帶來的誤開通。當 MOSFET 關斷而對管導通時， Vds 電壓快速的上升產生高的 dv/dt，從而在電容 Cgd 中產生位移電流( igd)。
當電壓通道和電流通道之間存在時間偏移時，測量結果明顯偏高或偏低，而器件的開...當電壓通道和電流通道之間存在時間偏移時，測量結果明顯偏高或偏低，而器件的開關速度越快，偏移的影響就越明顯。圖1為MOS管的關斷損耗測量原理圖，由此可見，只有...
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