中間兩層管子L=0.3um，其余放大電路管子L=0.2um。這樣做是因為考慮到共源共柵電...中間兩層管子L=0.3um，其余放大電路管子L=0.2um。這樣做是因為考慮到共源共柵電路的放大倍數很大，即使選擇L很小依然滿足放大要求。而且這樣一來可以盡可能的減小...
通常，最小柵極電壓（對于5V正邏輯）在0.5V至1V之間。那些高于最大閾值的柵極電...通常，最小柵極電壓（對于5V正邏輯）在0.5V至1V之間。那些高于最大閾值的柵極電壓會導通MOSFET。在最小柵極電壓的最高點和最大柵極電壓的最低點之間的電壓可能讓M...
如果電阻抗Z=電阻R+電抗C一樣，熱阻抗Zth=熱阻Rth+熱容Cth；同理，電子領域的電...如果電阻抗Z=電阻R+電抗C一樣，熱阻抗Zth=熱阻Rth+熱容Cth；同理，電子領域的電流就等同于熱領域中的元件功率；電壓值也可以等效為溫度值。
高溫反偏測試主要用于驗證長期穩定情況下芯片的漏電流，考驗對象是MOSFET邊緣結...高溫反偏測試主要用于驗證長期穩定情況下芯片的漏電流，考驗對象是MOSFET邊緣結構和鈍化層的弱點或退化效應。
SiC MOSFET的振蕩分別發生在開通瞬態的電流上升階段和電壓下降階段、以及關斷瞬...SiC MOSFET的振蕩分別發生在開通瞬態的電流上升階段和電壓下降階段、以及關斷瞬態的電壓上升階段和電流下降階段這四處。
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