弱反型區，溝道消失，流過溝道的漂移電流變為擴散電流。模型的表達式變為指數特...弱反型區，溝道消失，流過溝道的漂移電流變為擴散電流。模型的表達式變為指數特性而不是平方律 弱反型區適合低功耗電路，因為電流很小，但問題在于較大的噪聲以及...
對于NMOS，當襯源PN結正偏時，會帶來閂鎖效應（Latch-up），所以VBS<0，背柵效...對于NMOS，當襯源PN結正偏時，會帶來閂鎖效應（Latch-up），所以VBS<0，背柵效應會導致閾值電壓變大，電流IDS減小。
前級同向端輸入電壓信號給LM324,運放負自身負反饋需要動態平衡，此時，同相端、...前級同向端輸入電壓信號給LM324,運放負自身負反饋需要動態平衡，此時，同相端、反相端電壓相等(V+=V-)。由此R1上的電壓就是同相端輸入電壓，R1采樣電阻上流過的恒...
Vds與Vdsat的關系 Vds > Vdsat時，region變為2，為了保證PVT下電路仍處于飽和...Vds與Vdsat的關系 Vds > Vdsat時，region變為2，為了保證PVT下電路仍處于飽和區，需要讓Vds -Vdsat大于某個經驗值。
MOS管的源端和漏端分別接Vg和Vd，可設置Vg為3.3V，Vd為變量，設置變量Vd值為3....MOS管的源端和漏端分別接Vg和Vd，可設置Vg為3.3V，Vd為變量，設置變量Vd值為3.3V，dc仿真并對design variable ——Vd進行掃描，掃描范圍選擇0-3.3V，掃描方式選擇...
