mos管替代基本原則： 1.功能替代原則：選擇具有相同或相似功能的器件進行替代...mos管替代基本原則： 1.功能替代原則：選擇具有相同或相似功能的器件進行替代。 2.參數替代原則：選擇參數相近的器件進行替代，如電壓、電流、功率、頻率等。
AVDD表示模擬電壓，給芯片中的模擬器件供電，比如camera供電就要用到AVDD，也是...AVDD表示模擬電壓，給芯片中的模擬器件供電，比如camera供電就要用到AVDD，也是相對于DVDD區別出來的，
如果在漏極-源極間外加超出器件額定VDSS的電涌電壓，而且達到擊穿電壓V(BR)DSS...如果在漏極-源極間外加超出器件額定VDSS的電涌電壓，而且達到擊穿電壓V(BR)DSS （根據擊穿電流其值不同），并超出一定的能量后就發生破壞的現象。
TL431是具有三個端子的可調并聯穩壓器。它的輸出電壓用兩個電阻就可以設置從Vr...TL431是具有三個端子的可調并聯穩壓器。它的輸出電壓用兩個電阻就可以設置從Vref（2.5V）到36V范圍內的任何值。該器件的典型動態阻抗為0.2Ω，在很多應用中用它代...
雙電層電容器（英語：Electrostatic double-layer capacitor）也稱為電雙層電容...雙電層電容器（英語：Electrostatic double-layer capacitor）也稱為電雙層電容器，或超級電容器；一種相對傳統電容器而言具有更高容量的一種電容器。是介于電容器...
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