在CMOS晶片中，由于寄生的NPN和PNP三極管相互導通，使得在電源VDD和地VSS之間產...在CMOS晶片中，由于寄生的NPN和PNP三極管相互導通，使得在電源VDD和地VSS之間產生低阻抗通路，從而引發大電流通過，對芯片造成永久性損壞的風險。這種效應通常是由...
kia2906ah場效應管漏源擊穿電壓60V，漏極電流130A，極低導通電阻RDS(on)=5.5mΩ...kia2906ah場效應管漏源擊穿電壓60V，漏極電流130A，極低導通電阻RDS(on)=5.5mΩ，低柵極電荷能夠最大限度地減少導電損耗，最小化開關損耗以及高雪崩耐量，高效穩定...
線圈可以儲存能量的(線圈會阻止電流的突變，也就是電磁感應作用，即電流只能慢...線圈可以儲存能量的(線圈會阻止電流的突變，也就是電磁感應作用，即電流只能慢慢增大和減少)，如果一下使線圈斷電，兩端就會產生很大的電壓，這樣就可能使線圈損壞...
在柵極和源極之間施加一個電壓源VGG，這個電壓使得柵極帶正電荷，而P型襯底帶負...在柵極和源極之間施加一個電壓源VGG，這個電壓使得柵極帶正電荷，而P型襯底帶負電荷，從而在柵極和P型襯底之間形成電場。這個電場會排斥P型區中的多數載流子（空穴...
KIA2803AB場效應管漏源擊穿電壓30V，漏極電流150A，采用先進的溝槽工藝設計，極...KIA2803AB場效應管漏源擊穿電壓30V，漏極電流150A，采用先進的溝槽工藝設計，極低導通電阻RDS(on)=2.2mΩ，低柵極電荷，最大限度地減少導電損耗，最小化開關損耗；...
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