KNY2803A場效應管漏源電壓30V，漏極電流150A，采用先進的溝槽加工技術，實現極...KNY2803A場效應管漏源電壓30V，漏極電流150A，采用先進的溝槽加工技術，實現極低的導通電阻RDS(開啟) 2.2mΩ，最大限度地減少導通損耗；低柵極電荷、改進的dv/dt能...
當IO是高電平時，三極管Q1導通，GNDQ信號傳遞到MOS管Q3的G極，此時Vgs=-20V，M...當IO是高電平時，三極管Q1導通，GNDQ信號傳遞到MOS管Q3的G極，此時Vgs=-20V，MOS管導通。 當IO是低電平時，三極管Q1關閉，20V信號傳遞到MOS管QQ3的G極，此時Vgs=...
對于NPN來說，使Ube
控制板mos管KNF6180A漏源擊穿電壓800V，漏極電流10A；采用專用新型技術生產，極...控制板mos管KNF6180A漏源擊穿電壓800V，漏極電流10A；采用專用新型技術生產，極低導通電阻RDS(開啟) 1.0Ω，可最大限度地降低導通電阻，提供卓越的開關性能；快速...
熱阻的符號為Rth和θ。 單位是℃/W（K/W）。 熱阻是一個物理量，用于描述在有...熱阻的符號為Rth和θ。 單位是℃/W（K/W）。 熱阻是一個物理量，用于描述在有溫度差的情況下，物體抵抗傳熱能力的強弱。熱導率越好的物體，其熱阻通常越低。
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