KIA2806AM場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓60V，漏極電流150A，極低導(dǎo)通電阻RDS(開(kāi)啟) 3.5...KIA2806AM場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓60V，漏極電流150A，極低導(dǎo)通電阻RDS(開(kāi)啟) 3.5mΩ，最大限度地減少導(dǎo)通損耗，提高效率；100%雪崩測(cè)試，穩(wěn)定可靠；提供無(wú)鉛和綠色設(shè)...
在PFC開(kāi)關(guān)電源當(dāng)中，開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓電源是非常重要的一個(gè)組成部分。PFC當(dāng)中的開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓...在PFC開(kāi)關(guān)電源當(dāng)中，開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓電源是非常重要的一個(gè)組成部分。PFC當(dāng)中的開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓電源功能和普通的開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓電源的區(qū)別并不巨大，只是在供電上有所區(qū)別。普通的開(kāi)關(guān)穩(wěn)...
勢(shì)壘電容：功率半導(dǎo)體中，當(dāng)N型和P型半導(dǎo)體結(jié)合后，由于濃度差導(dǎo)致N型半導(dǎo)體的...勢(shì)壘電容：功率半導(dǎo)體中，當(dāng)N型和P型半導(dǎo)體結(jié)合后，由于濃度差導(dǎo)致N型半導(dǎo)體的電子會(huì)有部分?jǐn)U散到P型半導(dǎo)體的空穴中，因此在結(jié)合面處的兩側(cè)會(huì)形成空間電荷區(qū)（該空...
hid安定器MOS管?KIA3510AB漏源擊穿電壓100V，漏極電流75A，極低導(dǎo)通電阻RDS(開(kāi)...hid安定器MOS管?KIA3510AB漏源擊穿電壓100V，漏極電流75A，極低導(dǎo)通電阻RDS(開(kāi)啟) 9mΩ，最大限度地減少導(dǎo)通損耗，?低柵極電荷有助于降低開(kāi)關(guān)損耗，性能優(yōu)越；1...
低頻電路：通常工作在幾十赫茲到幾千赫茲的頻率范圍內(nèi)，最多可以達(dá)到20kHz。 ...低頻電路：通常工作在幾十赫茲到幾千赫茲的頻率范圍內(nèi)，最多可以達(dá)到20kHz。 高頻電路：工作頻率在幾千赫茲到幾兆赫茲甚至更高，通常達(dá)到GHz級(jí)別。
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